Propiedades estructurales y ópticas de compuestos (AIN, GaN, InN)
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Propiedades estructurales y ópticas de compuestos (AIN, GaN, InN) Enlace externoen Biblioteca Virtual del Banco de la República
Registro bibliográfico
- Título: Propiedades estructurales y ópticas de compuestos (AIN, GaN, InN)
- Autor: Pérez Taborda, Jaime Andrés
- Publicación original: Revista Tumbaga; Vol. 1, No. 6, 2011
- Descripción física: PDF
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Nota general:
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The purpose of this review article is to understand the technological advanced and manufacturing of the nitrides of group III-V review structural and vibrational properties. In the section related optical energy gap prohibited and the lattice pa- rameter with the energies of the vibrational modes.
Currently the interest in nitrides of group III-V is due to it ?s unique advantages in two key application areas: light- emitting diodes and high power electronics and high temperature.
The Optoelectron- ics market is at 20 billion dollars currently per year, and is further expand rapidly in the next decade. Then we will describe the progress, perspectives, and Challenges in the Developments of new electronic and Optoelectronic devices based on nitrides of group III - V.
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The purpose of this review article is to understand the technological advanced and manufacturing of the nitrides of group III-V review structural and vibrational properties. In the section related optical energy gap prohibited and the lattice pa- rameter with the energies of the vibrational modes.
- Notas de reproducción original: Digitalización realizada por la Biblioteca Virtual del Banco de la República (Colombia)
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Notas:
- Resumen: Banda de energía; Nitruro de Aluminio (AlN); Nitruro de Galio (GaN); Nitruro de Indio (InN); Propiedades estructurales; Propiedades ópticas; Semiconductor
- © Derechos reservados del autor
- Colfuturo
- Forma/género: texto
- Idioma: español
- Institución origen: Biblioteca Virtual del Banco de la República
- Encabezamiento de materia:
Datos enlazados
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